云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业10[答案]满分答案
传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业10
一、单选题 (共 4 道试题,共 40 分)
1.在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（ ）
A.外光电效应
B.光生伏打效应
C.光电子发射效应
D.光电导效应
2.对压电晶片沿X轴施加力，而在垂直于X轴晶面上产生电荷的现象为______，计算公式为______ 。填入前两个空的是（ ）。
A.横向压电效应，{图}
B.纵向压电效应， {图}
C.横向压电效应，{图}
D.纵向压电效应，{图}
3.压电传感器的等效电路，（ ）。
A.可以等效为电压源，不可等效为电荷源
B.可以等效为电压源，不可等效为电荷源
C.既不可等效为电压源，也不可等效为电荷源
D.既可等效为电压源，也可等效为电荷源
4.一个热电偶产生的热电势为E0，当打开其冷端串接与两热电极材料不同的第三根金属导体时，若保证已打开的冷端两点的温度与未打开时相同，则回路中热电势 （ ）.
A.增加
B.减小
C.增加或减小不能确定
D.不变
云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业10[答案]多选题答案
二、多选题 (共 2 道试题,共 40 分)
5.通常用差动变压器传感器测量（ ）。
A.位移
B.振动
C.加速度
D.厚度
6.霍尔效应中，霍尔电势与（ ）
A.激励电流成正比
B.激励电流成反比
C.磁感应强度成正比
D.磁感应强度成反比
三、客观填空题 (共 1 道试题,共 20 分)
7.##是表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。
云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业10[答案]历年参考题目如下：
