云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业2[答案]满分答案
传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业2
一、单选题 (共 4 道试题,共 40 分)
1.对湿度传感器类型描述不正确的是（ ）。
A.电解质型：氯化锂极易潮解，并产生离子导电，随湿度升高而电阻减小。
B.陶瓷型：都是负特性湿度传感器。
C.高分子型：分为电容式、电阻式、结露式湿度传感器
D.单晶半导体型：所用材料主要是硅单晶，利用半导体工艺制成。
2.电阻应变传感器桥式测量电路半桥时测量灵敏度为（ ）
A.
B.
C.
D.E
3.若两个应变量变化完全相同的应变片接入测量电桥的相对桥臂，则电桥的输出将（ ）。
A.增大
B.减小
C.不变
D.可能增大，也可能减小
4.传感器一般由（ ）组成。
A.敏感元件和信号调理
B.敏感元件和转换元件
C.转换元件和信号调理
D.电源电路和信号调理
云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业2[答案]多选题答案
二、多选题 (共 2 道试题,共 40 分)
5.霍尔效应中，霍尔电势与（ ）
A.霍尔常数成正比
B.霍尔常数成反比
C.霍尔元件的厚度成正比
D.霍尔元件的厚度成反比
6.差动变压器传感器的配用测量电路主要有 （ ）。
A.差动相敏检波电路
B.差动整流电路
C.直流电桥
D.差动电桥
三、客观填空题 (共 1 道试题,共 20 分)
7.当半导体材料在某一方向承受应力时，它的##发生显著变化的现象称为半导体压阻效应。用这个原理制成的电阻称固态##。
云南开放大学传感器与测试技术（20秋）（客观）形考作业2[答案]历年参考题目如下：
