东大17年12月考试《电力电子电路Ⅰ》考核作业答案

东大17年12月考试《电力电子电路Ⅰ》考核作业答案满分答案

东 北 大 学 继 续 教 育 学 院
   电力电子电路 I         试 卷（作业考核 线下）     B 卷           
总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
得分         
注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。
一、单选题（每小题2分，共10分）
1. 场效应管三个电极分别为(    )。
A. 发射极，基极，集电极；       B.第一基极，发射极，第二基极；
C. 源极，栅极，漏极；           D.阴极，门极，阳极。
2. 电压与电流波形相同的是（     ）。
A. 三相半波整流电路，电阻性负载
B. 三相半波整流电路，电感性负载
C. 单相全控桥式整流电路，电感性负载
D. 带续流二极管的单相半控桥式整流电路，电感性负载
3. 三相桥式全控整流电路，大电感负载，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（     ）。
A.         B.       C.       D.
4. 三相半波可控整流电路，电阻性负载，（       ）是ud波形连续和断续的分界点。
A. 30°    B.60°     C.90°     D.120°
5. 自然换流点在相电压波形正半周轮廓线交点的电路是（          ）。
A. 三相零式共阴极组整流电路          B.三相零式共阳极组整流电路
C.三相桥式全控整流电路               D.三相桥式全控逆变电路

二、多选题（每小题4分，共20分）
1. 全控型电力电子器件有（                    ）。
A. Thyristor、GTR、P-MOSFET、IGBT       B.GTR、P-MOSFET、IGBT、IGCT
C.IGBT、MCT、GTR、GTO                 D.Power Diode、MCT、GTO、IGBT
2. （  ）是电流控制型电力电子器件。
A. GTR、GTO              B.TRIAC、GTR
C.P-MOSFET、IGBT          D.GTO、TRIAC

3. 交流调功电路（      ）。
A. 通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率；
B. 靠改变移相触发角来改变输出功率；
C. 将电源接通几个周波，再断开几个周波；
D. 每个周期的控制触发角固定不变。
4. 造成逆变失败的原因是（          ）。
A. 交流电源缺相或断电；
B. 晶闸管损坏（击穿、短路等）；
C. 触发器故障（脉冲丢失、脉冲不整齐、脉冲相序不对、脉冲延迟、触发功率过小及逆变角过小等）。
D. 晶闸管额定电压太高。
5. 三相桥式全控整流电路，触发信号应采用（       ）。
A. 宽脉冲    B.窄脉冲    C.双宽脉冲     D.双窄脉冲

三、（每小题5分，共20分）
1. 列举出三种晶闸管变流装置的过电压保护方法。






2. P-MOSFET的输出特性分为哪三个区域？






3. 三相桥式全控整流电路，晶闸管承受的最大正、反向电压为多少？






4. 无源逆变电路分为电压型和电流型两种的依据是什么？






四．（共10分）
额定电流为IF=100A的晶闸管，当导通角分别为90o，180o时，允许的晶闸管峰值电流各为多少？


















五．（共20分）
三相半波可控电路，U2=100V，E=30V，R=1，L=∞。分别求出=90o时和=60o时的Id值。
















六．（共20分）
三相全控桥式变流电路，反电动势阻感负载，逆变工作状态。已知U2=230V，R∑=0.8Ω，L=∞，电动机反电势E=-290V，=60°。
1． 求晶闸管变流装置输出的逆变电压平均值Ud；
2． 求晶闸管变流装置输出的逆变电流平均值Id；
3. 求此时送回电网的有功功率是多少？

东大17年12月考试《电力电子电路Ⅰ》考核作业答案历年参考题目如下：