天津大学21年春《模拟电子技术基础》在线作业一[答案]答案
《模拟电子技术基础》在线作业一
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 40 道试题,共 100 分)
1.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
正确选项:----
正确选项:----
正确选项:----
正确答案:----
正确选项:----
专业答案:----
专业答案:----
正确选项:----
正确答案:----
专业答案:----
专业答案:----
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正确选项:----
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专业答案:----
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专业答案:----
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正确答案:----
专业答案:----
专业答案:----
正确选项:----
2.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
3.理想运算放大器的 ( )
A.输入、输出电阻均很高
B.输入电阻高，输出电阻低
C.输入电阻低，输出电阻高
4.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
5.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
6.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
7.稳 压 电 路 中 稳 压 二 极 管 大 多 工 作 于 ( )。
A.反 向 击 穿状 态
B.截 止 状 态
C.开 关状 态
8.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
9.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
10.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
11.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
12.绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件，它具有的特点是( )
A.驱动功率小，工作频率低，通态压降小
B.驱动功率小，工作频率高，通态压降大
C.驱动功率小，工作频率高，通态压降小
13.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
14.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
15.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
16.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
17.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
18.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
19.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
20.硅 二 极 管 导 通 后 的 正 向 压 降 约 为（ ）。
A.1.5V
B.0.2 V
C.0.6V
21.晶体管处于饱和状态时， 集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
A.发射结反偏，集电结正偏
B.发射结、集电结均反偏
C.发射结、集电结均正偏
D.发射结正偏，集电结反偏
正确选项:----
22.场效晶体管的工作特点是（ ）。
A.输入电流控制输出电流
B.输入电流控制输出电压
C.输入电压控制输出电流
23.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
24.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
25.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
26.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
27.已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极的电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应的电极为（ ）。
A.集电极
B.发射极
C.基极
28.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
29.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
30.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
31.当温度降低时，半导体的导电能力将（ ）。
A.不 变
B.减 弱
C.增 强
32.晶 体 管 的 穿 透 电 流 ICEO 是 表 明（ ）。
A.该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 的 参 数
B.该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 的 极 限 参 数
C.该 管 放 大 能 力 的 参 数
33.在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( )
A.工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性
B.工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性
C.工 作 在 非 线 性 区 ，提 高 稳 定 性
34.题目见图片{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
35.已知某晶体管的ICBO 为 4μA， 当基极电流为20μA时， 集电 极电流为1mA，则该管的ICEO 约等于（ ）。
A.8 mA
B.100μA
C.200μA
36.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
37.晶体管处于截 止 状 态 时， 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为（ ）。
A.发 射 结 反 偏，集 电 结 正 偏
B.发 射 结、集 电 结 均 反 偏
C.发 射 结、集 电 结 均 正 偏
D.发 射 结 正 偏，集 电 结 反 偏
正确选项:----
38.{图}
A.A
B.B
C.C
D.D
39.已知两个高输入电阻单管放大器的电压放大倍数分别为40和20，若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路，其总的电压放大倍数为（ ）。
A.20
B.60
C.800
40.在集成运算放大器的输入级，采用差动式电路结构的主要目的是( )
A.提高电压放大倍数
B.提高输入电阻
C.抑制零点漂移
天津大学21年春《模拟电子技术基础》在线作业一[答案]历年真题如下：
